Тип: | Диффузного отражения Тип фотоэлектрический датчик |
---|---|
Выход Тип сигнала: | Тип коммутации |
Процесс производства: | Инъекции |
Материал: | Пластиковые |
Особенность: | Низкая термостойкость |
IP-Рейтинг: | IP65 |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
Модель | ESB-S10P |
Источник света | Красный светодиод, малый световой луч, 623 нм (модуляция) |
Размер пятна | Φ1.5mm/10 см. |
Время отклика | ≤2 мс |
Потребление тока | <20 мА |
Ток нагрузки | <100 мА |
Температура окружающей среды | -25°C~+55°C, без замораживания |
Влажность окружающей среды | 35%~85% относительной влажности, без конденсации |
Рассеянная подсветка | Солнечный свет≤5000 люкс, лампа накаливания ≤3000 люкс |
Материалов | PBT+стекловолокно(корпус) PMMA(объектив) |
Метод обнаружения | Подавление диффузного отражения-фона |
Расстояние обнаружения | 5–100 мм (белая матовая бумага) |
Настройка расстояния | 30–100 мм |
Диапазон дифференциала | ≤5% |
Режим вывода | Открытый коллектор PNP,≤100 мА (30 в пост. Тока) |
Режим переключения | L.ON(действие при входе света)/D.ON(действие при затенении) можно переключать |
Индикатор | Индикатор выхода: Оранжевый; индикатор питания: Зеленый |
Регулировка чувствительности | потенциометр на 6 оборота |
Рабочее напряжение | 10–30 В ПОСТ. ТОКА ±10% |
Степень защиты | IP65 |
Способ подключения | Кабель с сердечником 2 м/3 |
Дополнительное оборудование | Отвертка |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями