R Plane Sapphire Wafer 2-12 дюйма EPI Ready LED Substrate Силиконовый Wafer DSP/SSP

• Application: Equipment
• Batch Number: Na
• Manufacturing Technology: Integrated Circuits Device
• Material: Compound Semiconductor
• Model: Custimize
• Package: Semi Standard
• Модель №.: 12inch
• Signal Processing: Na
• Type: P-Type Semiconductor
• метод роста: чехия
• ориентация кристалла: 100
• допад: бор
• сопротивление: 1-100Ω
• Frront Side: полирован
• кромка: полирован
• диаметр: 300±0.2mm
• толщина: 775±25μm
• марка: фшм
• Транспортная Упаковка: Semi Standard
• Характеристики: TBD
• Торговая Марка: FSM
• Происхождение: China
• Код ТН ВЭД: 3818001920
• Производственная Мощность: 5000PCS/Month

Описание Товара

Описание продукта

Параметры продукта

Используйте эталонное значение
 

Пункт	Технические характеристики
Диаметр	150 мм	200 мм	300 мм
Тип	НОМЕР ПО КАТАЛОГУ	НОМЕР ПО КАТАЛОГУ	НОМЕР ПО КАТАЛОГУ
Выемка	ПОЛУ/JEIDA	Паз/ИЗ	Выемка
Толщина(μm)	675±25/625±25	725±25	725±25
Поверхность	Полирован	Полирован	Полирован
Внутри	Гравировка	Гравировка	Гравировка
Пакет	Коинролл	Коинролл	Коинролл

ТЕСТОВАЯ пластина 150 ММ/200 ММ
 

150 ММ
СПЕЦИФИКАЦИЯ	0,2 мкм≤30 шт.
Диаметр (мм)	150±0,2 мм
Тип	P
Длина Олимфра	57,5 мм±2,5 мм	47,5 мм±2,5 мм
Значение сопротивления ( Ω·см )	1-100
Толщина(μm)	ПОЛУСФЕРИЧЕСКИЙ	JEIDA
	675 мкм ±25 мкм	675 мкм ±25 мкм
TTV(μm)	≤30 мкм
ДУГА(μm)	≤40 мкм
WARP(μm) (ДЕФОРМАЦИЯ(1	≤40 мкм
Загрязнения поверхности	≤5.0E 10 атом/см²

 

200 ММ
СПЕЦИФИКАЦИЯ	0,2 мкм≤30 шт.	-
Диаметр (мм)	200±0,2 мм
Тип	P
Ориентация кристалла	<110>±1
Направление выемки
Значение сопротивления ( Ω·см )	1-100
Толщина(μm)	725 мкм ±25 мкм
TTV(μm)	≤25 мкм	≤2um
ДУГА(μm)	≤40 мкм
WARP(μm) (ДЕФОРМАЦИЯ(1
М	НЕТ
Загрязнения поверхности	≤5.0E 10 атом/см²

ТЕСТОВАЯ пластина 300 ММ
 

300 ММ
СПЕЦИФИКАЦИЯ	0,045 мкм≤50ea	0,065 мкм≤50ea	0,09um<50ea	0,12 мкм<50 шт.
Метод производства	ЧЕХИЯ
Диаметр (мм)	300±0,2 мм
Тип/допаант	P/Борон
Ориентация кристалла	<100>±1
Направление выемки
Значение сопротивления (Ω·см)	1-100
Толщина(μm)	775±25
TTV(μm)	≤10
ДУГА(μm)	≤40
WARP(μm) (ДЕФОРМАЦИЯ(1
М	OCR T7+
Загрязнения поверхности	<1 атомов E10/см²

ПЛАСТИНА ИЗ оксида 200 ММ/300 ММ

 

	200 ММ	300 ММ
Толщина оксида	500±25 нм
Изменение толщины оксида (для одной пластины)	<3%
Изменение толщины оксида (для нескольких пластин)	<3%
СПЕЦИФИКАЦИЯ	0.2μm≤30ea
Диаметр (мм)	200±0,2 мм	300±0,2 мм
Тип	P
Ориентация кристалла	<100>±1
Направление выемки	<100>±1
Значение сопротивления (Ω·см)	1-100
Толщина(μm)	725±25
TTV(μm)	≤25	≤10
ДУГА(μm)	≤40
WARP(μm) (ДЕФОРМАЦИЯ(1	≤40
Загрязнения поверхности	≤5.0 E10 Atom/cm²	<1 атомов E10/см²

*  Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения информации о других типах пленки, толщине пленки и композиции пленки.


 

Сертификации

Упаковка и доставка

Профиль компании

Наши преимущества

ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ

В: Как можно перевозкой?
Ответ: Мы принимаем DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF и т.д.
В: Как оплатить?
A: T/T, PayPal и т.д.
В: Сколько времени на доставку?
A: Для учета: Время доставки составляет 5 рабочих дней.
   Для индивидуальных продуктов: Время доставки составляет от 7 до 25 рабочих дней. В зависимости от количества.
В: Могу ли я настроить продукты в соответствии с потребностями?
Ответ: Да, мы можем настроить материал, технические характеристики и оптическое покрытие для ваших оптических компонентов в соответствии с вашими потребностями.

Каждая спецификация клиента уникальна, и FSM может поставлять пластины, соответствующие вашим точным спецификациям.

Если вы не видите требуемого вами спецификации, свяжитесь  с FSM , чтобы поговорить с сотрудником нашего опытного и компетентно компетентно компетентно обслуживающего персонала.