Полупроводниковый транзистор 2N7002 SOT-23 MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

• Encapsulation Structure: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
• Application: Battery operated systems
• Certification: RoHS, CE, ISO, CCC
• Device marking code: мbr4045pt
• время доставки: 6~8weeks
• Average Rectified Output Current: 40 а.
• Модель №.: 2N7002 SOT-23
• повторяющееся пиковое обратное напряжение: 45 в.
• Surge(Non-repetitive)Forward Current: 300 а.
• температура хранения: -55 ~ +150
• температура соединения: -55 ~ +150
• класс: промышленность
• тип: n
• VDSS (V): 60
• ID (A): 0.34
• PD (W): 0.35
• Транспортная Упаковка: 3000PCS
• Торговая Марка: YANGJIE
• Происхождение: Made in China
• Код ТН ВЭД: 8542329000

Описание Товара

МОП-ТРАНЗИСТОР
НОМЕР ДЕТАЛИ: 2N7002 SOT-23 F2

Примите образец запроса (время доставки около 2 недель)

Время доставки: 6–8 недель  


Сводка по продукту
- VDS 60В
- ID 340 мА
- RDS(ON)( при VGS=10V) <2,5 Ом
- RDS(ON)( при VGS=4,5 в) <3,0 Ом


Общее описание
- Технология МОП-транзистора Trench Power MV
- переключатель малого сигнала с контролем напряжения
- Низкая входная емкость
- Высокая скорость переключения
- Низкая утечка на входе/выходе
 

Области применения
- системы, работающие от батарей
- твердотельные реле
- интерфейс прямого логического уровня:TTL/CMOS

Техническое описание