Высокопроводящий полированный вафер из нитрида алюминия керамический субстрат

Подробности Товара
Индивидуализация: Доступный
Приложение: Электронные устройства, Освещение, Блок питания, Полупроводники
стандарт: gb, iso 9001

Виртуальный Тур 360 °

Бриллиантовое Членство с 2020

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Сертифицированный Поставщик Сертифицированный Поставщик

Проверено независимым сторонним инспекционным агентством

Зарегистрированный Капитал
1000000 RMB
Площадь Завода
20000 Квадратные Метры
  • Высокопроводящий полированный вафер из нитрида алюминия керамический субстрат
  • Высокопроводящий полированный вафер из нитрида алюминия керамический субстрат
  • Высокопроводящий полированный вафер из нитрида алюминия керамический субстрат
  • Высокопроводящий полированный вафер из нитрида алюминия керамический субстрат
  • Высокопроводящий полированный вафер из нитрида алюминия керамический субстрат
  • Высокопроводящий полированный вафер из нитрида алюминия керамический субстрат
Найти похожие товары
  • Обзор
  • Введение в продукт
  • Области применения
  • Параметры продукта
  • Производственных мощностей
  • Упаковка и доставка
Обзор

Основная Информация.

Модель №.
JJBP-0141-0014
приложение
керамическая печатная плата без покрытия
обработка поверхности
притирочная, полировка, лазерная гравировка, лазерная резка
материалов
алюминиевая нитридная керамика
метод формовки
литая лента
функции
высокая теплопроводность, cde соответствие si
плотность
более 3,33 г/см3
стандартная толщина
0.1 мм
допуск толщины
±0.03/0,05 мм (в зависимости от толщины)
допуск по длине и ширине
±2 мм
индивидуальное обслуживание
oem, odm, создание прототипов, поддержка пробного заказа
Транспортная Упаковка
индивидуальный пакет
Характеристики
макс. длина или диаметр стороны 300 мм
Торговая Марка
дзюйгхуй
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
8547100000

Описание Товара

Высокая теплопроводность полированный алюминиевый нитрид из алюминия AlN керамический субстрат
Введение в продукт

 

High Thermal Conductivity Polished Aln Wafer Aluminum Nitride Ceramic Substrate

Три основных преимущества: Притирка и полировка

1. Можно получить более точный шаблон.

2. Улучшенная параллельность верхней и нижней поверхностей (толщина

терпимости).

3. Можно получить более тонкий слой металлизации.


Характеристики алюминиевых нитридных керамических подложок

1. Отличная теплопроводность.

2. Низкий коэффициент теплового расширения (CTE).

3. Высокая или очень низкая температура обслуживания.

4. Небольшие диэлектрические потери.

5. Высокая износостойкость и химическая стойкость.

6. Высокая теплостойкость.

7. Высокая механическая прочность.

8. 0% поглощение воды.

 
Области применения

High Thermal Conductivity Polished Aln Wafer Aluminum Nitride Ceramic Substrate

Параметры продукта
Керамический  подложка ALN
Пункт Единицы измерения Значение
Механические свойства
Цвет / Серый
Плотность г/см 3 ≥3.33
Прочность на изгиб МПа ≥380
Поглощение воды % 0
Развал Длина‰ ≤3‰
Тепловые свойства
Макс. Температура обслуживания (без нагрузки) °C >1000
CTE (коэффициент
Тепловое расширение)
20–800 °C, 1×10–6 °C. 4-6
Теплопроводность 20°C, ВТ/М·K 170-230
 Электрические свойства
Диэлектрическая постоянная 1 МГц 8-10
Volume Resisivity (Объемная удительность Ω,·см ≥1013
Диэлектрическая прочность КВ/мм ≥17
Производственных мощностей

1. Спецификация продукции

Могут быть изготовлены изделия различных спецификаций. В таблице  ниже приведены стандартные значения толщины и размеров.

Керамический  подложка ALN
Толщина  (мм) Максимальный размер (мм) Форма Техника литьевого формования
В режиме работы Притерты Полирован Прямоугольный Квадрат Круглый
0.1-0.2   50.8 50.8   Литая лента
≥0.2   114.3 114.3   Литая лента
0.38 140×190 140×190 120   Литая лента
0.5 140×190 140×190 120   Литая лента
0.635 140×190 200 200 Литая лента
1 140×190 300 200 Литая лента
1.5   300 200   Литая лента
2   300 200   Литая лента
2.5   300     Литая лента
3   300     Литая лента
  450     Изостатическое прессовку
10   450     Изостатическое прессовку
Другие специальные толщины в диапазоне 0.1–3,0 мм можно получить, притертая.

2. Допуски на продукт
 
Керамический  подложка ALN
Пункт Толщина подложки (мм) Стандартный допуск (мм)
 
Лучший допуск (мм)
 
Допуск лазерной резки (мм)
Допуск по длине и ширине / ±2   ±0.15
Допуск толщины T<1.0 ±0.03 ±0.01  
1.0≤T<1.5 ±0.05 ±0.01  
T≥1.5 ±0.07 ±0.01  

3. Шероховатость поверхности
 
Керамический  подложка ALN
Материалов Шероховатость поверхности (μm)
Как было Притерты Полирован
В RA 0.4 RA 0.3-0.7 RA ≤0.05

4. Лазерная обработка

(1) Размер отверстия

 
Керамический  подложка ALN
Диаметр отверстия  (мм) Стандартный допуск (мм)
φ≤0.5 0.08
φ>0.5 0.2

(2) Лазерная разметка
 
Керамический  подложка ALN
Толщина подложки (мм) Процент от
Глубина линии лазерной резки
К толщине (%)
0.2-0.3 40%±5%
0.5<T≤1.0 50%±3%
1.0<T≤1.2 55%±3%
1.2<T≤1.5 60%±3%
2.0 45% (экстремальная глубина)
Область разметки может иметь различные размеры. Обычно имеется небольшое пятно 0.03-0,04мм (толщина подложки≤0,5 мм ) и большое пятно 0.08-0,1мм (толщина подложки>0,5 мм), а точность составляет ±0,01мм.
Упаковка и доставка

Поскольку керамика является твердым и хрупким материалом, каждый из наших продуктов будет упакован безопасным и надежным способом, чтобы избежать повреждений при транспортировке.
High Thermal Conductivity Polished Aln Wafer Aluminum Nitride Ceramic Substrate

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас
Связаться с Поставщиком
Люди, которые посмотрели это, также посмотрели
Группа Товаров
Больше