Certification: | CE |
---|---|
длина волны: | 976 нм |
мощность: | 8 вт. |
основная функция: | лазерная подсветка |
гарантия: | 12 месяцев |
ключевые аргументы в пользу покупки: | длительный срок службы |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
Обзор:
Выходная мощность 8 Вт, центральная длина волны 976 нм
Режим работы CW, 1 излучатель на микросхеме, режим поляризации TE
Эффективность преобразования нашей микросхемы может достигать 60%
Новая эпитаксиальная структура и материальная эпитаксия
Преимущество:
Длительный срок службы>10000 часов
Высокая надежность и стабильность
Однокристальная микросхема для лазера
Применение:
Источник оптоволоконного лазерного насоса
Автономное вождение Lidar
Лазер Direct Semiconductor
Лазерная подсветка
Оптический | Мин | Тип | Макс |
Центральная длина волны | 966 нм | 976 нм | 986 нм |
Выходная мощность | 8 ВТ. | ||
Рабочий режим | ПО ЧАСОВОЙ СТРЕЛКЕ | ||
Ширина спектра | 3 нм | ||
Количество эмиттера | 1 | ||
Ширина излучателя | 95um | ||
Шаг излучателя | 400 мкм | ||
Коэффициент заполнения | 50% | ||
Длина гнезда | 3990 | 4000 мкм | 4010 |
Толщина | 110 мкм | 130 мкм | 150 мкм |
Расхождение быстрой оси (FWHM) | 36Дег | 40Дн | |
Расхождение медленной оси (FWHM) | 10Дн | 12-разр | |
Режим поляризации | TE | ||
Эффективность уклона | 0,95 ВТ/ВТ. | 1 ВТ/С. | |
Электрический | |||
Рабочий ток ВГД | 10 A. | 11 Л. | |
Пороговый ток с | 0,7 А. | 1А | |
Рабочее напряжение VOP | 1,75 В. | 2 В. | |
Эффективность преобразования | 54% | 58% | |
Тепловая | |||
Рабочая температура | 15°C. | 25°C. | 35°C. |
Температурный коэффициент длины волны | 0,28 нм/°C. |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями