• Кремниевый карбид подложки 4/6 дюйма P кат. 4H-N SIC Wafer Для полупроводников
  • Кремниевый карбид подложки 4/6 дюйма P кат. 4H-N SIC Wafer Для полупроводников
  • Кремниевый карбид подложки 4/6 дюйма P кат. 4H-N SIC Wafer Для полупроводников
  • Кремниевый карбид подложки 4/6 дюйма P кат. 4H-N SIC Wafer Для полупроводников
  • Кремниевый карбид подложки 4/6 дюйма P кат. 4H-N SIC Wafer Для полупроводников
  • Кремниевый карбид подложки 4/6 дюйма P кат. 4H-N SIC Wafer Для полупроводников

Кремниевый карбид подложки 4/6 дюйма P кат. 4H-N SIC Wafer Для полупроводников

Manufacturing Technology: Chemical Vapor Deposition
Material: Sic
Type: N-type Semiconductor
Package: Custom
Signal Processing: No
Application: Semiconductor

Связаться с Поставщиком

Производитель/Завод
Золотое Членство с 2023

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Hebei, Китай
Импортеры и экспортеры
Поставщик имеет права на импорт и экспорт.
Опытная команда
У поставщика есть 6 сотрудников, занимающихся иностранной торговлей, и 6 сотрудников с опытом работы за рубежом более 6 лет.
Быстрая доставка
Поставщик может доставить товар в течение 30 дней.
Полная Настройка
Поставщик предоставляет полный спектр услуг по настройке.
, чтобы увидеть все проверенные метки силы (14)

Основная Информация.

Модель №.
P Grade
Model
4h-N
Batch Number
No
Brand
No
класс
класс p & d.
спецификация
4 дюймов 6 дюймов и т.д.
сырье
6 н шик
типы
n или si
Транспортная Упаковка
Foam Bag
Характеристики
4 6 inches
Торговая Марка
No
Происхождение
China
Код ТН ВЭД
3818009000
Производственная Мощность
5000 PCS

Описание Товара

Сведения о продукте
Карбид кремния (SiC),  известен как основной материал полупроводника третьего поколения. Он обладает многими  выдающимися характеристиками, такими как высокое напряжение, высокая частота, высокая пропускная способность, высокая теплопроводность,  высокое расщепленное электрическое поле и  скорость насыщения электронами.

Технические характеристики (SiC Substrate)
Спецификация 4  дюйма 6 дюйма
Диаметр 100.0 мм +0.0/-0,5 мм 150 мм/153 мм +0.0/-0,5 мм
Толщина 500.0  μm ± 25.0 μm     или    350.0 μm ± 25.0 μm
 
Silicon Carbide Substrate 4/6 Inch P Grade 4h-N Sic Wafer for SemiconductorО параметре: УКАЗАНЫ ТОЛЬКО технические характеристики 4 дюйма, 6 дюйма; для получения других технических характеристик свяжитесь с нами.
О заказе: Мы можем обрабатывать в соответствии с потребностями клиента конкретные спецификации, точность и т.д.


 
Silicon Carbide Substrate 4/6 Inch P Grade 4h-N Sic Wafer for Semiconductor
Silicon Carbide Substrate 4/6 Inch P Grade 4h-N Sic Wafer for Semiconductor
Silicon Carbide Substrate 4/6 Inch P Grade 4h-N Sic Wafer for Semiconductor
 
Пакет продуктов
Silicon Carbide Substrate 4/6 Inch P Grade 4h-N Sic Wafer for Semiconductor
Silicon Carbide Substrate 4/6 Inch P Grade 4h-N Sic Wafer for Semiconductor
Silicon Carbide Substrate 4/6 Inch P Grade 4h-N Sic Wafer for Semiconductor
 
Приложение
Silicon Carbide Substrate 4/6 Inch P Grade 4h-N Sic Wafer for Semiconductor

У нас черный и зеленый карбид кремния, который включает не только сплав абразивов, но и сплав металлургии, огнеупорный сплав и высокочистый 4N 5N 6N SiC.
Профиль компании

Baotong Silicon Carbide New Material Co., Ltd. — это предприятие, объединющее производство, обработку и продажи карбида кремния. Наш производитель имеет одну линию производства карбида черных кремния 26000Ква и 12500ква, и оснащен сегментным пескоструйно-порошковым оборудованием, которое может быть настроено в соответствии с требованиями заказчика. Детализация обработки.

Для дальнейшего удовлетворения потребностей наших клиентов в карбидных кремниевых сплайнах компания Baotong построила новую производственную линию по плавке карбида кремния 40000 ква, которая была введена в эксплуатацию, а ежемесячная производительность карбидных блоков кремния достигла 6000-7000 тонн.

Silicon Carbide Substrate 4/6 Inch P Grade 4h-N Sic Wafer for Semiconductor
 
Наши преимущества
• конкурентоспособная цена
• многие спецификации товаров на складе  
• более 40 стабильных партнеров по всему миру
• 11-летний опыт производства и экспорта
• Группы по исследованиям и разработкам и контролю качества для обеспечения хороших & Стабильное качество
Прием клиентов
Silicon Carbide Substrate 4/6 Inch P Grade 4h-N Sic Wafer for Semiconductor
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
В1: Вы торгуете компанией или производителем?
О: Мы производитель.

В2: Образцы бесплатны или нет?
О: Образец может быть бесплатным. За доставку необходимо заплатить только за вашу сторону.  

В3. Можно ли настроить размер зерна или параметры в соответствии с моим требованием?
Ответ: Да, мы можем настроить.

В4. Вы проверили все свои товары перед доставкой?
Ответ: У нас есть лаборатории для проверки химических и физических свойств нашего SiC. Мы будем регулярно проверять продукцию во время ее производства и перед отгрузкой, чтобы убедиться, что она соответствует установленным стандартам.

 
С нетерпением ждем вашего запроса.
Если у вас есть вопросы, пожалуйста, не стесняйтесь задавать мне вопросы. Спасибо ^^

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары НИЦ Субстрат Кремниевый карбид подложки 4/6 дюйма P кат. 4H-N SIC Wafer Для полупроводников

Вам Наверное Нравятся

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2023

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод
Площадь Завода
101~500 Квадратные Метры