Тепловой оксида кремния вафли (Si+SiO2 полупроводниковые пластины)

Тепловой оксида кремния полупроводниковая пластина
Тепловой азота (Si+SiO2) или диоксида кремния слой образуется на зачищенную поверхность подложки кремния при повышенной температуре в сильный ингибитор коррозии в присутствии через тепловой процесс окисления. Он обычно выращивается в горизонтальной трубы печи при температуре в диапазоне от 900°C ~ 1200 °C, с помощью либо "мокрых" или "Сухой" роста.
 
Тепловой азота является своего рода накачанных слой оксида азота. По сравнению с КП на хранение слой оксида, она представляет собой прекрасное диэлектрический слой в качестве изолятора с более высокой однородности и более высокой диэлектрической прочности. Для большинства устройств на базе кремния, система охлаждения слоя оксида азота - это значительный материал по снижению кремниевой поверхности действовать в качестве допинга барьеров и поверхности диэлектрика high.
 
AEM обеспечивает тепловой азота полупроводниковые пластины в диаметром от 1 до 12" с премьер-grade и бездефектного кремниевых пластин в качестве основы для растущих высокой однородности и отличное качество тепловой слой оксида азота для удовлетворения клиентов.
 
Тепловой оксида кремния вафельной физические свойства
Тепловой оксида кремния вафельной технические характеристики
Тепловой оксида кремния полупроводниковых пластин пакета
В комплекте с класса 100 очистите мешок или полупроводниковых пластин контейнера в классе 1000 чистой комнате.
Связанные продукты термического оксида кремния полупроводниковая пластина