Индивидуализация: | Доступный |
---|---|
Послепродажное обслуживание: | срок хранения один год (при нормальных условиях эксплуатации) |
Гарантия: | срок хранения один год (при нормальных условиях эксплуатации) |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
Проверено независимым сторонним инспекционным агентством
A: Частота повторения: 01кГц
B: Напряжение кристалла: 2.0–4,5 кВ, с постоянной регулировкой
C: Время нарастания импульса высокого напряжения: <10,0 НС
D: ТРИГГЕР уровня TTL и оптическая изоляция
E: Встроенная регулируемая задержка: 60.0~250.0μs
F: ВХОД: 220 В ПЕРЕМ. ТОКА
G: Встроенный источник питания высокого напряжения с высокой стабильностью
H: Зарядка/разрядка электрического Q-переключателя
I: Быстрое закрытие времени восстановления
J: Подходит для кристаллов Q-Switch средней и высокой частоты
K: Защита от короткого замыкания в цепи питания
A: KD*P
Б: ЛиНбО3
C: Другие
A: Низкочастотный электрооптический Q-Switch лазер с насосом LD
B: Полупроводниковый лазер Q-Switch с насосом лампы
C: Гравировальный лазер для стекла
Применимая длина волны: От 200 до 2200 нм
Выходное напряжение: От 2.0 до 4.5 кВ
Время падения импульса высокого напряжения: <10,0 НС (при нагрузке 10 пФ)
Сигнал триггера: Время нарастания <1.0μs, интерфейс BNC, оптическая изоляция
Длительность высокого уровня: >30μs, макс. 5,0 в, уровень TTL
Задержка между сигналом триггера и выходом Q-переключателя: 60.0250.0μs
Потребляемая мощность: 220 в перем. Тока ±20 в перем. Тока, потребляемая мощность <20 Вт.
Рабочая частота: 0–1000 Гц, поддерживает одноимпульсное управление
Время восстановления при закрытии: 35μs (при нагрузке 10 пФ, от 10% до 90%)
Рабочая температура: 0°C (настраиваемый класс военных температур: -45°C + 55°C)
Длина: 200 мм
Ширина: 147 мм
Высота: 61 мм