Характеристики |
Инкапсуляция Структура: Чип транзистор;
Монтаж: SMD Триод;
Рабочая частота: Низкая частота;
Уровень мощности: Высокая мощность;
функция: светочувствительный, Дарлингтона Tube, Мощность Триод, Переключение Триод;
Состав: рассеивание;
материал: кремний;
диапазон рабочих температур: -40°c ~ +85°c.;
температура хранения: -65°c ~ +150°c;
защита от электростатического разряда: ≥2000 в.;
mtbf (среднее время: >100000h;
|
Инкапсуляция Структура: Пластиковые Герметичный Транзистор;
Монтаж: Плагин триод;
Рабочая частота: Низкая частота;
Уровень мощности: средняя мощность;
функция: Мощность Триод, Переключение Триод;
Состав: плоскостной;
материал: кремний;
v cbo: 30V;
v генеральный директор: 30V;
в эбо: 5V;
пакет: sot-23;
дело: литой пластик;
i c: 100 ма;
|
Инкапсуляция Структура: Керамические Упакованный Транзистор;
Монтаж: Плагин триод;
Уровень мощности: средняя мощность;
материал: кремний;
тип fet: n-канал;
технологии: моп-транзистор (оксид металла);
напряжение от слива до источника (vdss): 650 V;
ток - непрерывный слив (id) при 25c: 24,3a (tc);
rds on (макс.) @ id, vgs: 160 мом при 15,4a, 10 в.;
vgs(th) (макс.) @ id: 3,9 в при 1,2 ма;
забор затвора (qg) (макс.) при vgs: 135 нc при 10 в.;
входная емкость (шипение) (макс.) при vds: 3000 pf при 25 в.;
рассеивание мощности (макс.): 240 вт (tc);
|
Инкапсуляция Структура: провал;
Монтаж: SMD Триод;
Уровень мощности: средняя мощность;
материал: кремний;
тип fet: n-канал;
технологии: моп-транзистор (оксид металла);
напряжение от слива до источника (vdss): 60 V;
ток - непрерывный слив (id) при 25c: 100 а (tc);
напряжение привода (макс. rds вкл., мин. rds вкл.): 5 в, 10 в.;
rds on (макс.) @ id, vgs: 4,5 мом при 25 а, 10 в.;
vgs(th) (макс.) @ id: 2,1 в при 1 ма;
vgs (макс.): ±10 в.;
входная емкость (шипение) (макс.) при vds: 9710 pf при 25 в.;
рассеивание мощности (макс.): 234 вт (tc);
|
Инкапсуляция Структура: стандарт;
Монтаж: стандарт;
|