Характеристики |
Инкапсуляция Структура: to220;
Монтаж: Плагин триод;
Рабочая частота: Высокая частота;
Уровень мощности: Высокая мощность;
материал: полупроводник элемента;
технологии производства: дискретное устройство;
тип: полупроводник типа p.;
приложение: управление электродвигателем ибп или переключателя переменного тока;
обработка сигнала: контроллер переключателя;
|
Инкапсуляция Структура: Чип транзистор;
Монтаж: Плагин триод;
Уровень мощности: средняя мощность;
Состав: моп-транзистор;
материал: кремний;
функция fet: n-канал;
технологии: моп-транзистор (оксид металла);
напряжение от слива до источника (vdss): 600 V;
ток - непрерывный слив (id) при 25: 48a (tc);
rds on (макс.) @ id, vgs: 60 мом при 15,9 а, 10 в.;
vgs(th) (макс.) @ id: 4 в при 800 мкa;
забор затвора (qg) (макс.) при vgs: 67 нc при 10 в.;
входная емкость (шипение) (макс.) при vds: 2895 pf при 400 в.;
рабочая температура: -55°c ~ 150°c (tj);
тип крепления: сквозное отверстие;
упаковка / корпус: to-247-3;
|
Инкапсуляция Структура: Чип транзистор;
Монтаж: SMD Триод;
Уровень мощности: средняя мощность;
Состав: NPN;
материал: кремний;
тип транзистора: npn;
ток - коллектор (ic) (макс.): 2 a;
напряжение - выход из строя датчика коллектора (м: 50 V;
насыщение vce (макс.) при ib, ic: 500 мв при 50 ма, 1a;
ток - отключение коллектора (макс.): 100 на (icbo);
усиление постоянного тока (hfe) (мин) при ic, vce: 70 при 500 ма, 2 в.;
мощность - макс: 500 мвт;
рабочая температура: 150°c (tj);
тип крепления: установка на поверхность;
упаковка / корпус: to-243aa;
|
Инкапсуляция Структура: Чип транзистор;
Монтаж: SMD Триод;
Уровень мощности: средняя мощность;
Состав: моп-транзистор;
материал: кремний;
тип fet: n-канал;
технологии: моп-транзистор (оксид металла);
напряжение от слива до источника (vdss): 50 V;
ток - непрерывный слив (id) при 25: 220 ма (ta);
напряжение привода (макс. rds вкл., мин. rds вкл.): 4,5 в, 10 в.;
rds on (макс.) @ id, vgs: 3 ом при 500 ма, 10 в.;
vgs(th) (макс.) @ id: 1,6 в при 250 мкa;
забор затвора (qg) (макс.) при vgs: 2.4 нc при 10 в.;
vgs (макс.): ±20 в.;
входная емкость (шипение) (макс.) при vds: 27 pf при 25 в.;
рабочая температура: 150°c (tj);
тип крепления: установка на поверхность;
упаковка / корпус: sot-23-3;
рассеивание мощности (макс.): 350 мвт (ta);
|
Инкапсуляция Структура: Пластиковые Герметичный Транзистор;
Монтаж: SMD Триод;
Рабочая частота: Высокая частота;
Уровень мощности: Высокая мощность;
функция: светочувствительный, Мощность Триод, Переключение Триод;
Состав: NPN;
материал: кремний;
рабочая температура: -55~ 150 (по цельсию);
максимально допустимый ток коллектора: 10A;
максимальный ток коллектора (icm): 500 ма;
максимальная мощность: 300 мвт;
полярность транзистора: npn транзистор;
напряжение пробоя коллектора (vceo): 25V;
ультразвуковая электронная схема машины eq: ультразвуковое электронное оборудование машины;
тип поставщика: производитель;
усиление постоянного тока (hfe) (мин) при ic, vce: усиление постоянного тока (hfe) (мин) при ic, vce;
тип крепления: сквозное отверстие;
тип: 2sc3998;
|