Характер продукции
Модель: Обломоки компьтер-книжки LE82PM965 SLA5U, электронные блоки ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000pcs/month

Модель: Первоначально новый SANYO IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month

Модель: Первоначально новый FAIRCHILD IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month

Модель: Первоначально новое VISHAY IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Упаковка: Original Pack
Производительность: 5000PCS/Month

Модель: Первоначально новое Panasonnic IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month

Модель: Первоначально новое NXP IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month

Модель: Первоначально новый NEC IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month

Модель: Первоначально новое ROHM IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month

Модель: Первоначально новая НА IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month

Модель: Первоначально новый ST IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month

Модель: Первоначально новый TI IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month

QModel: Первоначально новый NEC IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month

Модель: Первоначально новый NEC IC откалывает ...

MOQ: 1 шт.
Технология производства: Устройство ИС
Материал: Полупроводниковое Соединение
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: Двухрядный Корпус
Производительность: 5000PCS/Month