4-дюймовыйтокопроводящиеSiC полупроводниковыхпластинсогласноспецификации |
Продукт | 4H-SiC |
Класс | КлассI | КатегорияII | КатегорияIII |
Polycrystalline районах | Недопускается | Недопускается | <5% |
Polytype районах | Недопускается | ≤20% | 20% ~ 50% |
ПлотностьMicropipe) | <5 micropipes/см-2 | <30micropipes/см-2 | <100micropipes/см-2 |
Общийполезныйобласть | >95% | >80% | N/A |
Диаметр | 100,0 мм+0/-0,5 мм |
Толщина | 500 мкм±25 мкмилитехническимиусловиямизаказчика |
Dopant | ТипN: |
Основнойориентациисплоскимэкраном) | Перпендикулярнок<11-20>±5,0° |
Главнаяплоскийдлины | 32,5 мм±2,0 мм |
Вторичныйплоскиеориентации) | На90°почасовойстрелкеотплоских±5,0° |
Вторичныйплоскиедлина) | 18,0 мм±2,0 мм |
Наосивафельнойориентации) | {0001} ±0,25° |
Внеосевоевафельнойориентации | 4,0°к<11-20>±0,5°илитехническимиусловиямизаказчика |
TTV/дуги/Warp | <5 мкм/ <10мкм/<20мкм |
Сопротивления | 0.01~0.03 Ом×см |
Чистотаобработкиповерхности | C Спольской.Si передлицомCMP (Si:Rq <0,15 Нм) илиспецификацииклиента | Двойныебоковыепольский |