Индивидуализация: | Доступный |
---|---|
Приложение: | Компоненты силовой электроники, полупроводниковые пластины |
Номер партии: | 2023+ |
Все еще решаете? Получите образцы $ !
Запросить Образец
|
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
Проверено независимым сторонним инспекционным агентством
HGTECH Wafer Cutting Series Semiconductor Wafer Processing Plant Лазерное модифицированное режущее оборудование в основном используется для металла и кремния, германия, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов, для резки и резки основы, обрабатываемых солнечных панелей, кремния, керамики, алюминиевой фольги, и т.д., заготовка прекрасна и прекрасна с гладкими режущими кромками.
Преимущества продукта:
На поверхности нет повреждений, отсутствует режущее шов, а обвал кромки очень мал (≤ 2 μ м) , кромка небольшая (< 3 μ м)
Для умножения можно использовать режим изменения многофокусности эффективность резки
Лазер обладает высокой средней стабильностью мощности (≤± 3% за 24 часа) и качество дальнего света (М ² < 1.5)
Пункт |
Основные параметры |
|
Лазер |
Длина волны в центре |
Пользовательская длина волны инфракрасного излучения |
Режущая головка |
Саморазработанная коллимирующаяся головка | |
Производительность |
Эффективный рабочий ход |
300x400 мм (дополнительно) |
Точность повторяющегося позиционирования |
±1μm |
|
Визуальное позиционирование |
Автоматическое визуальное позиционирование |
|
Метод обработки |
Многоуровневая модернизация, одноточечная/многоточечная обработка | |
Другие |
Размер пластины |
8 дюйма (12 дюймов совместим с ) |
Процесса обработки |
Лазерная модифицированная резка - разравнивание пленки | |
Обработка объекта |
Микросхема MEMS, бичип на кремниевой основе, чип кремниевой пшеницы, чип КМОП и т.д. |
О нас