1200V 50A Модули транзисторов IGBT Le2 Пакетный модуль с IGBT с полем остановки и диодом с управляемым эмиттером и Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT

Подробности Товара
Структура: Комбинация
функция: Автоматический контроль, Защита
Сертификация: RoHS
Все еще решаете? Получите образцы $ !
Запросить Образец
Бриллиантовое Членство с 2024

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Сертифицированный Поставщик

Проверено независимым сторонним инспекционным агентством

  • 1200V 50A Модули транзисторов IGBT Le2 Пакетный модуль с IGBT с полем остановки и диодом с управляемым эмиттером и Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT
  • 1200V 50A Модули транзисторов IGBT Le2 Пакетный модуль с IGBT с полем остановки и диодом с управляемым эмиттером и Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT
  • 1200V 50A Модули транзисторов IGBT Le2 Пакетный модуль с IGBT с полем остановки и диодом с управляемым эмиттером и Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT
  • 1200V 50A Модули транзисторов IGBT Le2 Пакетный модуль с IGBT с полем остановки и диодом с управляемым эмиттером и Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT
  • 1200V 50A Модули транзисторов IGBT Le2 Пакетный модуль с IGBT с полем остановки и диодом с управляемым эмиттером и Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT
  • 1200V 50A Модули транзисторов IGBT Le2 Пакетный модуль с IGBT с полем остановки и диодом с управляемым эмиттером и Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT
Найти похожие товары
  • Обзор
  • Описание продукта
  • Параметры продукта
  • Производственный участок
Обзор

Основная Информация.

Модель №.
JLAFF50B120RE2E7SN
Состояние
Использовано
Индивидуальные
Индивидуальные
типичные области применения
инвертор для привода двигателя
типичные области применения 2
усилитель сервоприводов переменного и постоянного тока
типичные области применения 3
источник бесперебойного питания
напряжение коллектора-эмиттера
1200V
ток коллектора при tc=100°c.
50A
Транспортная Упаковка
картонная коробка
Торговая Марка
джинлан
Происхождение
Китай

Описание Товара

Описание продукта
Функции
• Технология IGBT для траншей VCE (SAT) с низким уровнем сигнала
• возможность короткого замыкания 10μs
• VCE(SAT) с положительным температурным коэффициентом • Максимальная температура соединения 175°C.
• корпус с низкой индуктивностью
• изолированный теплоотвод с использованием технологии DBC
1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT
 Продукты серии E1            

Номер детали

Класс напряжения макс. [В]

Icmax [A]

Технологии

Квалификация

Пакет

Состояние детали
JLAFP50B65RE1E7SN 650 50 Пок. 7 Автомобилестроение E1A Скоро
JLAFP50B65RE1E7PN 650 50 Пок. 7 Автомобилестроение E1A Скоро
JLAFF50B65RE1E7SN 650 50 Пок. 7 Автомобилестроение E1B Скоро
JLAFF50B65RE1E7PN 650 50 Пок. 7 Автомобилестроение E1B Скоро
JLFF25B120RE1E7SN 1200 25 Пок. 7 Промышленность E1B Производства
JLFF25B120RE1E7PN 1200 25 Пок. 7 Промышленность E1B Производства
JLAFF35B120RE1E7SN 1200 35 Пок. 7 Автомобилестроение E1B Производства
JLFF35B120RE1E7PN 1200 35 Пок. 7 Промышленность E1B Производства
JLFF50B120RE1E7SN 1200 50 Пок. 7 Промышленность E1B Производства
JLFF50B120RE1E7PN 1200 50 Пок. 7 Промышленность E1B Производства
JLFF25B140RE1E7SN 1400 25 Пок. 7 Промышленность E1B Производства
JLFF25B140RE1E7PN 1400 25 Пок. 7 Промышленность E1B Производства
JLAFF35B140RE1E7SN 1400 35 Пок. 7 Автомобилестроение E1B Производства
JLFF35B140RE1E7PN 1400 35 Пок. 7 Промышленность E1B Производства
JLFF50B140RE1E7SN 1400 50 Пок. 7 Промышленность E1B Производства
JLFF50B140RE1E7PN 1400 50 Пок. 7 Промышленность E1B Производства
JLPI15B120RE1E7SN 1200 15 Пок. 7 Промышленность E1C Производства
JLPI15B120RE1E7PN 1200 15 Пок. 7 Промышленность E1C Производства
JLPI25B120RE1E7SN 1200 25 Пок. 7 Промышленность E1C Производства
JLPI25B120RE1E7PN 1200 25 Пок. 7 Промышленность E1C Производства
Параметры продукта

1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT

Производственный участок

1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT1200V 50A IGBT Transistor Modules Le2 Pack Module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode and Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас
Связаться с Поставщиком
Люди, которые посмотрели это, также посмотрели

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары E1 МОДУЛЬ PACK 1200V 50A Модули транзисторов IGBT Le2 Пакетный модуль с IGBT с полем остановки и диодом с управляемым эмиттером и Ntc Jlaff50b120re2e7sn IGBT