Диод быстрого восстановления VDS 650V RDS99mΩ питания телекоммуникационного оборудования

• сертификация: RoHS, CE, ISO
• форма: Металл Фарфор Труба
• Экранирование Тип: Sharp Граничная Экранирование Tube
• Модель №.: OSG65R099HSZAF
• Способ охлаждения: Воздушное охлаждение труб
• функция: Высокое давление Назад Транзистор
• Рабочая частота: Высокая частота
• Состав: плоскостной
• Инкапсуляция Структура: Пластиковые Герметичный Транзистор
• Уровень мощности: Высокая мощность
• материал: кремний
• технологии производства: дискретное устройство
• обработка сигнала: аналоговый цифровой композитный и функциональный
• материалов: кремниевые пластины
• тип: быстрая зарядная станция ev
• пакет: -247
• приложение: питание пк
• модель: ос65р099ч
• номер партии: 2024
• марка: ориенталполу
• описание: очень низкие потери при переключении
• характеристики: превосходная стабильность и однородность
• области применения: питание пк
• промышленности: светодиодная подсветка
• гарантия: 24 месяцев
• Транспортная Упаковка: воздух
• Торговая Марка: orientalsemiconductor
• Происхождение: Китай
• Код ТН ВЭД: 854129000
• Производственная Мощность: 20 ккккк/месяц

Описание Товара

Описание продукта

Общее описание

Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности коммутации и надежной работы лавины.
Серия GreenMOS® Z интегрирована с диодом быстрого восстановления (FRD) для минимизации времени обратного восстановления. Он подходит для резонансных топологий коммутации, чтобы достичь более высокой эффективности, надежности и меньшего форм-фактора.

Функции                                                                                                    

• Low RDS(ON) (низкие значения RDS(ВКЛ)) и FOM (низкие значения
• Очень низкие потери при переключении
• Превосходная стабильность и однородность
• Сверхбыстрый и прочный диод корпуса
• AEC-Q101 сертифицирован для использования в автомобильной промышленности

Области применения

• Питание ПК
• Телекоммуникационное питание
• Мощность сервера
• Зарядное устройство электромобиля
• Привод двигателя

Ключевые параметры производительности

 

Параметр	Значение	Единицы измерения
VDS	650	В.
ID, импульс	96	А
RDS(ON), МАКС. ПРИ VGS=10 В.	99	MΩ
ВГ	66.6	НЗ

Информация о маркировке

 

Название продукта	Пакет	Маркировка
OSG65R099HSZAF	TO247	OSG65R099HSZA

Проверка HTRB была выполнена при напряжении 600 в более строго, чем AEC-Q101, ред. C (80% V(BR)DSS). Все остальные испытания проводились в соответствии с AEC Q101 rev. E.

 

Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Напряжение источника тока	VDS	650	В.
Напряжение источника литника	VGS	±30	В.
Непрерывная дренажная кард1^), TC=25 °C.	ID	32	А
Непрерывная дренажная кард1^), TC=100 °C.		20
Ток пульсирующего стока2^), TC=25 °C.	ID, импульс	96	А
Постоянный диод переднего хода 1^), TC=25 °C.	ЯВЛЯЕТСЯ	32	А
Диод импульсной карри 2^), TC=25 °C.	IS, импульс	96	А
Power  dissispation3^) , TC=25  °C.	PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ	278	W
Одиночная импульсная лавина (5))	EAS	648	МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В.	dv/dt	50	В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID	dv/dt	50	В/НС
Температура эксплуатации и хранения	Tstg, Tj	от -55 до 150	°C

Тепловые характеристики
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения	RθJC	0.45	°C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4)	RθJA	62	°C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива	BVDSS	650			В.	VGS=0 В, ID=1 МА
Пороговое напряжение затвора	VGS(TH) (ВГГ(	3.0		4.5	В.	VDS=VGS, ID=1 МА
Сопротивление при состоянии "источник слива включен"	RDS(ВКЛ)		0.090	0.099	Ω	VGS=10 В, ID=16 А
			0.21			VGS=10 В, ID=16 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника	IGSS			100	Нет	VGS=30 В
				-100		VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива	ИДА			10	μA	VDS=650 В, VGS=0 В.
Сопротивление заслонки	RG		7.8		Ω	ƒ=1 МГц, открытый дренаж

Динамические характеристики

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Входная емкость	CISS		3988		ПФ	VGS=0 В, VDS=50 В, ƒ=100 кГц
Выходная емкость	КОСС		210		ПФ
Емкость обратной передачи	CRSS		7.4		ПФ
Эффективная выходная емкость, связанная с энергией	Соер		124		ПФ	VGS=0 В, VDS=0 В-400 В.
Эффективная выходная емкость, связанная с временем	Co(tr) (время повторения)		585		ПФ
Время задержки включения	td(вкл)		46.0		нс	VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=20 А
Время нарастания	tr		60.3		нс
Время задержки выключения	td(выкл.)		93.0		нс
Время осени	тф		3.7		нс

Характеристики заряда литника

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Общая стоимость задвижки	ВГ		66.6		НЗ	VGS=10 В, VDS=400 В, ID=20 А
Зарядка от источника литника	QGS		20.6		НЗ
Зарядка от заслонки слива	QGD		24.8		НЗ
Напряжение плато затвора	Vплато		6.7		В.

Характеристики диода корпуса

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода	VSD			1.3	В.	IS=32 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении	trr		151.7		нс	= 20 А, DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления	QRR		1.0		μC
Пиковый обратный ток восстановления	Иррм		12.3		А

Примечание

1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
4. VDD=100 в, VGS=10 в, L=80 MH, запуск Tj=25 °C.