Сверхбыстрые зарядные сваи Вспомогательный обратноходовой преобразователь Топология одного коммутатора Мощный МОП-транзистор

Подробности Товара
сертификация: RoHS, ISO
форма: ST
Экранирование Тип: Sharp Граничная Экранирование Tube
Производитель/Завод, Торговая Компания
Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Сертифицированный Поставщик

Проверено независимым сторонним инспекционным агентством

Зарегистрированный Капитал
10000000 RMB
Площадь Завода
501~1000 Квадратные Метры
  • Сверхбыстрые зарядные сваи Вспомогательный обратноходовой преобразователь Топология одного коммутатора Мощный МОП-транзистор
  • Сверхбыстрые зарядные сваи Вспомогательный обратноходовой преобразователь Топология одного коммутатора Мощный МОП-транзистор
  • Сверхбыстрые зарядные сваи Вспомогательный обратноходовой преобразователь Топология одного коммутатора Мощный МОП-транзистор
  • Сверхбыстрые зарядные сваи Вспомогательный обратноходовой преобразователь Топология одного коммутатора Мощный МОП-транзистор
  • Сверхбыстрые зарядные сваи Вспомогательный обратноходовой преобразователь Топология одного коммутатора Мощный МОП-транзистор
  • Сверхбыстрые зарядные сваи Вспомогательный обратноходовой преобразователь Топология одного коммутатора Мощный МОП-транзистор
Найти похожие товары
  • Обзор
  • Описание продукта
Обзор

Основная Информация.

Модель №.
OSG90R1K2FF TO220F-1
Способ охлаждения
Естественно Охлаждаемый Tube
функция
транзисторный
Рабочая частота
Высокая частота
Состав
рассеивание
Инкапсуляция Структура
Пластиковые Герметичный Транзистор
Уровень мощности
средняя мощность
материал
кремний
описание
очень низкие потери при переключении
характеристики
превосходная стабильность и однородность
области применения
питание пк
промышленности
светодиодная подсветка
гарантия
24 месяцев
Транспортная Упаковка
картонная коробка
Характеристики
от до 220f
Торговая Марка
orientalsemiconductor
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
854129000
Производственная Мощность
20 ккккк/месяц

Описание Товара

Описание продукта

Общее описание

OSG90R1K2xF использует усовершенствованную технологию GreenMOSTM для обеспечения низкой RDS (ВКЛ), низкого заряда затвора, быстрого переключения и превосходных лавинных характеристик. Данное устройство подходит для применения в системах с активным коэффициентом мощности и импульжным режимом питания.


Функции                                         Области применения
  1. Low RDS(ON) (низкая RDS(ВКЛ)) и FOM                                              Lighting (освещение FOM
  2. Чрезвычайно низкие потери при переключении                               жесткий импульсный ШИМ
  3. Превосходная стабильность и однородность               Источник питания сервера
  4. Простота управления                              Зарядное устройство

Ключевые параметры производительности
 
    1. Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение источника слива VDS 900 В.
Напряжение источника кулисы VGS ±30 В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25°C. ID 5 А
Непрерывная дренажная кард1), TC=100°C. 3.2
Ток пульсирующего стока 2), TC=25°C. ID, импульс 15 А
Power dissipation3) для TO251, TO262, TC=25°C. PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ 83 W
Power dissispation3) для TO220F, TC=25°C. 31
Одиночная импульсная лавина (5)) EAS 211 МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В. dv/dt 50 В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID dv/dt 15 В/НС
Температура эксплуатации и хранения Tstg,Tj от -55 до 150 °C
 
 
  1. &bsp; тепловые характеристики
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
TO251/TO262 TO220F
Термостойкость, корпус соединения RθJC 1.5 4.0 °C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 62.5 °C/ВТ.
  1. Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки

Напряжение пробоя источника слива

BVDSS
900    
В.
VGS=0 В, ID=250 ΜA
960 1070   VGS=0 В, ID=250 ΜA,
TJ=150°C.
Пороговое напряжение затвора VGS(TH) (ВГГ( 2.0   4.0 В. VDS=VGS, ID=250 ΜA

Сопротивление при состоянии источника тока во время работы

RDS(ВКЛ)
  1.0 1.2
Ω
VGS=10 В, ID=2 А
  2.88   VGS=10 В, ID=2 А,
TJ=150°C.

Ток утечки источника литника

IGSS
    100
Нет
VGS=30 В
    -100 VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива ИДА     10 μA VDS=900 В, VGS=0 В.
  1. Динамические характеристики
 
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Входная емкость CISS   874.2   ПФ VGS=0 В, VDS=50 В,
f=100 кГц
Выходная емкость КОСС   37.5   ПФ
Емкость обратной передачи CRSS   1.7   ПФ
Время задержки включения td(вкл)   33.23   нс VGS=10 В, VDS=400 В, RG=33 Ω, ID=5 А
Время нарастания tr   26.50   нс
Время задержки выключения td(выкл.)   44.00   нс
Время осени тф   17.63   нс
 
 
  1. Характеристики заряда литника
Extral Fast Charging Piles Aux Flyback Converter One Switch Topologies Power Mosfet
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Общая стоимость задвижки ВГ   12.50   НЗ
ID=5 A, VDS=400 В, VGS=10 В.
Зарядка от источника литника QGS   3.75   НЗ
Зарядка от заслонки слива QGD   4.28   НЗ
Напряжение плато затвора Vплато   5.8   В.
  1. Характеристики диода корпуса
 
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Диод переднего тока ЯВЛЯЕТСЯ     5
А

VGS<Vth
Импульсный ток источника ИНТЕРНЕТ-ПРОВАЙДЕР     15
Диод, напряжение переднего хода VSD     1.3 В. IS=5 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении trr   265.87   нс
VR=400 В, IS=5 A,
DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления QRR   2.88   μC
Пиковый обратный ток восстановления Иррм   19.51   А
  1. Примечание
 
  1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
  2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
  3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
  4. Значение RθJA измеряется при установке устройства на плату 1 в 2 FR-4 с объемом 2 унции. Медь, в воздушной среде с Ta=25°C.
  5. VDD=100 в, RG=47 Ω, L=10 мГн, запуск Tj=25.
   
     
     
     
     

Информация о маркировке
 
Название продукта Пакет Маркировка
OSG65R038HZF TO247 OSG65R038HZ
Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение источника тока VDS 650 В.
Напряжение источника литника VGS ±30 В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C.
ID
80
А
Непрерывная дренажная кард1), TC=100 °C. 50
Ток пульсирующего стока2), TC=25 °C. ID, импульс 240 А
Постоянный диод переднего хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 80 А
Диод импульсной карри 2), TC=25 °C. IS, импульс 240 А
Power  dissispation3) , TC=25  °C. PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ 500 W
Одиночная импульсная лавина (5)) EAS 2900 МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В. dv/dt 100 В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID dv/dt 50 В/НС
Температура эксплуатации и хранения Tstg, Tj от -55 до 150 °C

Тепловые характеристики
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения RθJC 0.25 °C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 °C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки

Напряжение пробоя источника слива

BVDSS
650    
В.
VGS=0 В, ID=2 МА
700 770   VGS=0 в, ID=2 мА, Tj=150 °C.
Порог выхода
напряжение
VGS(TH) (ВГГ( 3.0   4.5 В. VDS=VGS, ID=2 МА

Слейте воду из источника
сопротивление во время работы

RDS(ВКЛ)
  0.032 0.038
Ω
VGS=10 В, ID=40 А
  0.083   VGS=10 В, ID=40 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника
IGSS
    100
Нет
VGS=30 В
    -100 VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива ИДА     10 μA VDS=650 В, VGS=0 В.
Сопротивление заслонки RG   2.1   Ω ƒ=1 МГц, открытый дренаж

Динамические характеристики
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Входная емкость CISS   9276   ПФ
VGS=0 В, VDS=50 В,
ƒ=100 кГц
Выходная емкость КОСС   486   ПФ
Емкость обратной передачи CRSS   12.8   ПФ
Эффективная выходная емкость, связанная с энергией Соер   278   ПФ
VGS=0 В, VDS=0 В-400 В.
Эффективная выходная емкость, связанная с временем Co(tr) (время повторения)   1477   ПФ
Время задержки включения td(вкл)   55.9   нс
VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=40 А
Время нарастания tr   121.2   нс
Время задержки выключения td(выкл.)   114.2   нс
Время осени тф   8.75   нс

Характеристики заряда литника
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Общая стоимость задвижки ВГ   175.0   НЗ

VGS=10 В, VDS=400 В, ID=40 А
Зарядка от источника литника QGS   40.1   НЗ
Зарядка от заслонки слива QGD   76.1   НЗ
Напряжение плато затвора Vплато   6.4   В.

Характеристики диода корпуса
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода VSD     1.3 В. IS=80 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении trr   180   нс
= 30 А,
DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления QRR   1.5   UC
Пиковый обратный ток восстановления Иррм   15.2   А

Примечание
  1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
  2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
  3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
  4. Значение RθJA измеряется при установке устройства на плату 1 в 2 FR-4 с объемом 2 унции. Медь, в воздушной среде с Ta=25 °C.
  5. VDD=300 в, VGS=10 в, L=40 MH, запуск Tj=25 °C.
Extral Fast Charging Piles Aux Flyback Converter One Switch Topologies Power MosfetExtral Fast Charging Piles Aux Flyback Converter One Switch Topologies Power MosfetExtral Fast Charging Piles Aux Flyback Converter One Switch Topologies Power MosfetExtral Fast Charging Piles Aux Flyback Converter One Switch Topologies Power Mosfet

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас
Связаться с Поставщиком
Люди, которые посмотрели это, также посмотрели

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары EV зарядное устройство модуля&зарядка свай промышленности AUX SEPIC топологии Сверхбыстрые зарядные сваи Вспомогательный обратноходовой преобразователь Топология одного коммутатора Мощный МОП-транзистор