Стандартные МОП-транзисторы для зарядки свай и источников питания 650 в - 247

• Приложение: Телевидение
• Номер партии: 2010+
• Технология производства: Оптоэлектронный полупроводник
• Модель №.: OSG65R038HZF
• Материал: Полупроводниковый элемент
• Модель: PC817
• Пакет: SMD
• Обработка сигналов: Цифровой
• Тип: Полупроводник N-типа
• описание: очень низкие потери при переключении
• характеристики: превосходная стабильность и однородность
• области применения: питание пк
• промышленности: светодиодная подсветка
• марка: олименталь
• Транспортная Упаковка: картонная коробка
• Характеристики: 35x30x37 см.
• Торговая Марка: orientalsemiconductor
• Происхождение: Китай
• Код ТН ВЭД: 854129000
• Производственная Мощность: 20 тыс./ежемесячно

Описание Товара

Общее описание
Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности коммутации и надежной работы лавины.
Серия GreenMOS® Z интегрирована с диодом быстрого восстановления (FRD) для минимизации времени обратного восстановления. Он подходит для резонансных топологий коммутации, чтобы достичь более высокой эффективности, надежности и меньшего форм-фактора.

Функции

• LOW RDS(ON) (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ RDS(ВКЛ)) И FOM (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ
• Очень низкие потери при переключении
• Превосходная стабильность и однородность
• Сверхбыстрый и прочный диод корпуса

Области применения                                                                                             

• Питание ПК
• Телекоммуникационное питание
• Мощность сервера
• Зарядное устройство электромобиля
• Привод двигателя

Ключевые параметры производительности
 

Параметр	Значение	Единицы измерения
VDS, мин. При Tj(макс.)	650	В.
ID, импульс	240	А
RDS(ON), МАКС. ПРИ VGS=10 В.	30	MΩ
ВГ	178	НЗ

Информация о маркировке
 

Название продукта	Пакет	Маркировка
OSG60R038HZF	TO247	OSG60R038HZ

Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Напряжение источника тока	VDS	600	В.
Напряжение источника литника	VGS	±30	В.
Непрерывная дренажная кард1^), TC=25 °C.	ID	80	А
Непрерывная дренажная кард1^), TC=100 °C.		50
Ток пульсирующего стока2^), TC=25 °C.	ID, импульс	240	А
Постоянный диод переднего хода 1^), TC=25 °C.	ЯВЛЯЕТСЯ	80	А
Диод импульсной карри 2^), TC=25 °C.	IS, импульс	240	А
Power dissispation3^), TC=25 °C.	PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ	480	W
Одиночная импульсная лавина (5))	EAS	2500	МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В.	dv/dt	50	В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID	dv/dt	50	В/НС
Температура эксплуатации и хранения	Tstg, Tj	от -55 до 150	°C

Тепловые характеристики
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения	RθJC	0.26	°C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4)	RθJA	62	°C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива	BVDSS	600			В.	VGS=0 В, ID=1 МА
Пороговое напряжение затвора	VGS(TH) (ВГГ(	3.0		4.5	В.	VDS=VGS, ID=2 МА,
Слейте воду из источника сопротивление во время работы	RDS(ВКЛ)		0.028	0.030	Ω	VGS=10 В, ID=40 А
			0.058			VGS=10 В, ID=40 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника	IGSS			100	Нет	VGS=30 В
				-100		VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива	ИДА			10	μA	VDS=600 В, VGS=0 В.
Сопротивление заслонки	RG		2.1		Ω	ƒ=1 МГц, открытый дренаж

Динамические характеристики

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Входная емкость	CISS		9343		ПФ	VGS=0 в, VDS=50 в, ƒ=100 кГц
Выходная емкость	КОСС		708		ПФ
Емкость обратной передачи	CRSS		15		ПФ
Эффективная выходная емкость, связанная с энергией	Соер		345		ПФ	VGS=0 В, VDS=0 В-400 В.
Эффективная выходная емкость, связанная с временем	Co(tr) (время повторения)		1913		ПФ
Время задержки включения	td(вкл)		52.1		нс	VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=40 А
Время нарастания	tr		105.2		нс
Время задержки выключения	td(выкл.)		125.7		нс
Время осени	тф		4.1		нс

Характеристики заряда литника

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Общая стоимость задвижки	ВГ		177.9		НЗ	VGS=10 В, VDS=400 В, ID=40 А
Зарядка от источника литника	QGS		37.4		НЗ
Зарядка от заслонки слива	QGD		78.4		НЗ
Напряжение плато затвора	Vплато		6.2		В.

Характеристики диода корпуса

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода	VSD			1.4	В.	IS=80 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении	trr		186.6		нс	= 40 А, DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления	QRR		1.6		μC
Пиковый обратный ток восстановления	Иррм		15.4		А

Примечание

1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
4. VDD=100 в, VGS=10 в, L=80 MH, запуск Tj=25 °C.