Широкие балки Ion Implanter (HEMII-80)

Toepassingen
Om semiconducting, nano/microstructurele materialen met buitenlandse elementen te smeren
Om de ionen van het hoge energiemetaal voor oppervlaktewijziging van ceramische, polymere en metaalmaterialen te produceren
Om de oppervlaktesamenstelling van materialen te veranderen
Om de oppervlaktestraling te doen om verschillende microstructuren van materialen vormen.
Model: Hemii-80
Kamer: SS 304 staal; F400mm x 500mm
Pompend Systeem: De pomp van Turbomolecular; Mechanische roterende pomp; Pneumatische poortklep; De klep van Foreline; De klep van Rounghing; De luchtende Uiteindelijke Druk van de klep: Dan beter Pa 8 x 10e-5
Substraat: 150mm; Gekoeld water en satellietomwenteling
De Bron van het metaal: De wijzeverrichting van de impuls; De breedte van de impuls 1mS; De frequentie van de impuls 1-30Hz
Het Voltage van de output: 30kV-80kV
De Grootte van de straal: >F150mm
Niet-uniformiteit: < +/5% van F150mm
Controlebord: Het schermPLC van de aanraking controle
Koppeling & Bescherming: Vacuüm & koelwaterkoppeling; Te sterke intensiteit & over voltagebescherming.
Eigenschappen:
Ultra Brede Ionenstraal voor Grote en Hoge Eenvormige Inplanting
Het wijd Regelbare Voltage van de Ionenimplantatie
Zuiver Metaal, Semiconducting Elementen (Si, Duitsland) en de Gelegeerde Inplanting van Elementen
Tellen het in real time van de Dosis van de Inplanting of het Tellen van het Aantal van de Impuls
De Onafhankelijke van het substraat
Gemakkelijke aanraking-Controle.