Класс 3b 50МВТ меди с18 интегрированный пакет 532нм лазерный диод
| Цена FOB для Справки: | 15,00 $ / шт. |
|---|---|
| Минимальный Заказ: | 1 шт. |
| Минимальный Заказ | Цена FOB для Справки |
|---|---|
| 1 шт. | 15,00 $/ шт. |
| Порт: | Dalian, China |
|---|---|
| Производственная Мощность: | 10000000piece/Year |
| Условия Платежа: | T/T, Western Union, Paypal, Money Gram |
Описание Товара
Информация о Компании
Адрес:
Xincheng District Wenqing Road 70-42building 5-6floor, Dandong, Liaoning, China
Тип Бизнеса:
Производитель/Завод, Торговая Компания
Диапазон Бизнеса:
Инструменты и Приборы, Промышленное Оборудование и Компоненты
Основные Товары:
Лазерные диоды, компоненты, полупроводник
Введение Компании:
Компания Введение
Даньдонг Elaser Electronic Technology Co., Ltd. Подчиняется компании Dandong Xunlei Technology Co., Ltd., которая занимается лазером на 532-нанометровой технологии в течение 9 лет. В настоящее время продукты могут работать стабильно от -20°C до +45°C. в то время, традиционная технология производства полупроводников, удвоенная частота, была модернизирована до интеллектуального оборудования автоматизации. Для повышения эффективности производства он в 40 раз больше, чем традиционная технология. Кроме того, эффективность преобразования энергии в продукт выросла более чем на 30%, а согласованность продукта может достигать более 95%.
До сих пор компания Elaser успешно достигла автоматического производства 532-нм встроенного диода для лазерных диодов 20МВт, 30МВТ и 50МВт. Кроме того, планируется разработка 100 МВТ, 500 МВт и 1 Вт, что позволит обеспечить высококачественную продукцию и услуги в области применения лазеров на основе 532-нм технологии по всему миру.
Даньдонг Elaser Electronic Technology Co., Ltd. Подчиняется компании Dandong Xunlei Technology Co., Ltd., которая занимается лазером на 532-нанометровой технологии в течение 9 лет. В настоящее время продукты могут работать стабильно от -20°C до +45°C. в то время, традиционная технология производства полупроводников, удвоенная частота, была модернизирована до интеллектуального оборудования автоматизации. Для повышения эффективности производства он в 40 раз больше, чем традиционная технология. Кроме того, эффективность преобразования энергии в продукт выросла более чем на 30%, а согласованность продукта может достигать более 95%.
До сих пор компания Elaser успешно достигла автоматического производства 532-нм встроенного диода для лазерных диодов 20МВт, 30МВТ и 50МВт. Кроме того, планируется разработка 100 МВТ, 500 МВт и 1 Вт, что позволит обеспечить высококачественную продукцию и услуги в области применения лазеров на основе 532-нм технологии по всему миру.
